HAL243采用混合信号CMOS技术制造。它内部包括一个片上霍尔电压发生器，一个用于供电电压为1.8-5.5V的电压调节器，一个用于低功耗的睡眠/清醒逻辑，温度补偿电路，小信号放大器，带有动态偏移抵消系统的霍尔传感器，施密特触发器和一个开漏极输出。具有足够强度的南极将打开传感器的...

HAL206采用混合信号CMOS技术制造。它内部包括一个片上霍尔电压发生器，一个用于供电电压为1.6-5.5V的电压调节器，一个用于低功耗的睡眠/清醒逻辑，温度补偿电路，小信号放大器，带有动态偏移抵消系统的霍尔传感器，施密特触发器和一个开漏极输出。具有足够强度的南极将打开传感器的...

HAL3181R采⽤⾼压BCD⼯艺制程，是⼀款耐⾼压双极霍尔开关传感器。该芯⽚内部由电压稳压单元，霍尔电压发⽣器，差分放⼤电路，温度补偿电路，集电极开路输出电路组成。输⼊磁感应强度，输出为数字电压信号。可耐⾼电压冲击，具有极强的抗噪能⼒。⼯作温度范围为-40℃⾄125℃，⼯作电压...

HAL3181采⽤⾼压BCD⼯艺制程，是⼀款耐⾼压双极霍尔开关传感器。该芯⽚内部由电压稳压单元，霍尔电压发⽣器，差分放⼤电路，温度补偿电路，集电极开路输出电路组成。输⼊磁感应强度，输出为数字电压信号。可耐⾼电压冲击，具有极强的抗噪能⼒。⼯作温度范围为-40℃⾄125℃，⼯作电压从...

HAL1201N采用混合信号CMOS技术制造。它内部包括一个片上霍尔电压发生器，用于供电电压为1.8-5.5V的电压调节器，用于低功率消耗的睡眠/清醒逻辑，无温度补偿电路，小信号放大器，带有动态偏移抵消系统的霍尔传感器，施密特触发器和开漏极输出。HAL1201N具有足够强度的南极...

HAL1545是一款基于BCDMOS技术设计的霍尔开关传感器。传感器包括具有温度补偿的 hall 器件、动态失调消除放大器、比较器和输出级。该芯片为电流输出。比较器将实际磁通量与固定参考值（开关点）进行比较，控制输出 MOSFET 的电流大小。有源失调补偿可在各种电源电压下产生特...