代表产品：HAL2475（国内首款水平感应霍尔效应开关）

        BCD(Bipolar-CMOS-DMOS)技术是一种单片集成工艺技术，能够在同一芯片上制作Bipolar、CMOS和DMOS器件。

        BCD工艺把Bipolar器件、CMOS器件、DOMS器件同时制作在同一芯片上，综合了双极器件高跨导、强负载驱动能力和CMOS集成度高、低功耗的优点，使其互相取长补短，发挥各自优点；同时DMOS可以在开关模式下工作，功耗极低。不需要昂贵的封装和冷却系统就可以将大功率传递给负载。低功耗是BCD工艺的一个主要优点之一。BCD工艺可大幅阡低功耗损，提高系统性能，节省电路的封装费用，并具有更好的可靠性。

     采用Bipolar工艺可以制造出高速、高驱动能力的集成电路，如电源管理芯片、电动机驱动芯片等，但是Bipolar集成电路的功耗和集成度无法满足系统集成的要求，也不能满足无刷电机驱动、LED驱动控制等芯片的要求。CMOS工艺能制造低功耗、高度集成和抗干扰能力强的CMOS集成电路但是速度低、驱动性能差是其最大的弱点，只能满足数字集成电路和小功率模拟集成电路的需要。BiCMOS工艺是将Bipolar的器件和CMOS器件同时制造在同一芯片上，综合了Bipolar器件的高跨导、强驱动能力和CMOS器件的低功耗、高度集成的优点，为高速、高集成度、高性能及强驱动的集成电路发展开辟了一条新的道路。

目前，BiCMOS主要用于无刷电机驱动、RF电路、LED控制驱动、IGBT控制驱动、IGBT控制驱动等芯片设计，对于高度集成的片上系统（SOC）芯片设计，CMOS工艺还是最理想的选择。按照基本工艺基础，BiCMOS工敢又可以分为以CMOS工艺和以Bipolar工艺为基础的BiCMOS工艺，用于实现不同应用的集成电路。以CMOS工艺为基础的BiCMOS工艺对保证MOS器件的性能比较有利，而以Bipolar工艺为基础的BiCMOS工艺对保证Bipolar器件的性能比较有利。